英國牛津 等離子設備 - Plasmalab 800Plus系列產(chǎn)品
Plasmalab 80Plus是我公司專門為大學及研究機構設計的小型化產(chǎn)品,被廣泛的應用于各種產(chǎn)品的研發(fā)以及小批量生產(chǎn)。它配置了直接開啟式工藝平臺,可以根據(jù)客戶需要將它配置成RIE(反應離子刻蝕)、PE(等離子刻蝕)、PECVD(等離子增強型化學氣相沉積)或ICP(感應耦合等離子高密度刻蝕)等模式,應用非常靈活。
Plasmalab 800Plus系列 - PECVD(等離子增強型化學氣相沉積)配置產(chǎn)品介紹
典型應用:
大批量、高質量SiO2, SiNx 薄膜的生長 NH3 Free SiNx(不含H的SiNx)薄膜的生長PECVD(等離子增強型化學氣相沉積)配置主要配置:
硬件和工藝全程自動化控制的基于Windows NT的PC2000控制軟件,全部硬件和工藝均由計算機來控制,操作非常簡便 PECVD大型工藝真空腔 460mm直徑可加熱到400℃或700℃的下電極,充分滿足了大批量生產(chǎn)的需要 13.56MHz,600W的射頻電源以及緊耦合、低損耗的自動匹配網(wǎng)絡(Close-coupled Automatic Matching Network),更加保證了工藝的重復性 控制工藝氣體流量及配比的外部Gas Pod,最多可配置6路氣體管路,大大節(jié)約了凈化間的面積 反應室真空壓力自動控制系統(tǒng)(APC CM Gauge),保證工藝過程壓力的穩(wěn)定 大抽速防腐蝕機械泵和羅茲泵泵組,可以快速的達到工藝試驗所需的真空環(huán)境PECVD(等離子增強型化學氣相沉積)配置選配件:
雙頻控制系統(tǒng),大大降低薄膜的應力 光發(fā)射(Optical emission)終點控制,使真空腔的日常維護變得更為簡單 ICP-CVD配置,可以在低壓力下生長薄膜,從而降低對器件的損傷 干泵配置令設備維護更為簡單