少子壽命儀
特點(diǎn)
1. 非接觸,無(wú)損的半導(dǎo)體電子特性表征
2. 作為單點(diǎn)測(cè)量的臺(tái)式儀器或作為硅片生產(chǎn)線上的高速測(cè)量部件
3. 可用于單個(gè)硅片的研發(fā)測(cè)量
4. 測(cè)量時(shí)間少于么個(gè)硅片1特點(diǎn)
5. 測(cè)量少子壽命,光電導(dǎo)率,電阻率(可選)
6. 高靈敏度,可視化微小損傷
樣品
可測(cè)樣品 未加工多晶硅片,任意尺寸硅片,晶圓片,硅錠,電池片
樣品尺寸 任意尺寸,不小于10 x 10
電阻率 0.1- Ohm cm
電導(dǎo)類(lèi)型 P,N
可測(cè)材料 硅片,外延層,部分或完全處理的晶圓,化合物半導(dǎo)體
可測(cè)參數(shù) 少子壽命(穩(wěn)定態(tài)或非平衡態(tài)(μ-PCD)可選)
光電導(dǎo)率(穩(wěn)態(tài))->擴(kuò)散長(zhǎng)度
壽命范圍 0.1μs-100ms
激發(fā)功率 缺省值雙激光,980nm缺省值
測(cè)量點(diǎn) 缺省直徑0.5mm
測(cè)量時(shí)間 小于1秒
儀器尺寸 300x240x240mm